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田中贵金属工业 确立了有助于提高半导体的微细化和持久性的 钌成膜新工艺

2022年6月23日

田中贵金属集团旗下经营制造事业的田中贵金属工业株式会社 宣布确立了液态钌(Ru)前驱物“TRuST”的2段成膜工艺。“TRuST”是对氧和氢都有良好的反应性,并具有能形成更高纯度钌膜的特征的前驱物。本工艺是一种2段ALD成膜工艺(ALD=Atomic Layer Deposition),先通过氢成膜形成较薄的防氧化膜,再通过氧成膜实现质量更高的钌膜成膜。通过这种方法,可消除因氧造成基板氧化的顾虑,同时还能抑制因氢成膜引起的钌纯度下降。 在本开发的过程中,成膜工艺的设想方案由韩国岭南大学工科学院新材料工学部的SOO-HYUN, KIM教授提出,其成膜工艺的开发及评估由KIM教授和田中贵金属工业共同实施。

通过使用液态钌前驱物“TRuST”的2段ALD工艺,实现了可防止基板氧化、质量更高电阻更低的较薄薄膜 可期应用于数据中心及IoT等的要求技术革新的先进技术

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