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田中贵金属工业确立了使用“预成型AuRoFUSE™”的半导体高密度封装用接合技术
～解决要求半导体进一步微细化和高密度化的问题， 为光学器件和数字设备的技术创新做出贡献～
2024年3月11日
开展工业用贵金属业务的田中贵金属集团核心企业——田中贵金属工业株式会社宣布，确立了使用金-金接合用低温烧结金AuRoFUSE™的高密度封装用金（Au）粒子接合技术。
AuRoFUSE™是仅由次微米大小的金粒子和溶剂所构成的，在较低电阻和较高热传导率以及较低温度下实现金属接合的接合材料。通过本技术可使用预成型AuRoFUSE™（干燥体）实现20μm大小4μm间隙的窄间距封装。此外，AuRoFUSE™在200℃、20MPa（兆帕）、10秒的热压后，虽然在压缩方向上显示出约10％的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度※1足以承受实际应用的Au凸点※2。
而且，由于以化学稳定性较优异的Au为主要成分，封装后兼具较高的可靠性。
本技术是一种能够实现半导体配线微细化和多种芯片集成（高密度化）的技术，预计将为LED（发光二极管）和LD（半导体激光器）等光学器件，在个人电脑和智能手机等数字设备上的应用，以及车载零部件等需要高度技术创新的先进技术做出贡献。
今后，我们将积极提供样品，以扩大该技术的市场认知。
另外，本技术将于2024年3月13日至15日在东京理科大学举行的“第38届电子封装学会春季演讲大会”上发表。
（※1）接合强度：指抗剪强度(横向载荷测试中的强度)
（※2）凸块：突起的电极