AuRoFUSE™预制件技术介绍

■特长

1. ① 可制作各种尺寸、形状的Au凸块
   (最小实绩：5µm大小，5µm间隙)
2. ② 由于是拥有多孔质结构的接合体，具有较好的压缩变形能力
3. ③ 由于加压时在水平方向上较少变形，可进行较高密度封装
4. ④ 由于主要成分是Au，很难发生氧化和迁移
5. ⑤ 可在相对较低温度（200℃~）及大气条件下进行接合

■设想用途

光电半导体（LED和LD）、功率半导体、IC用的芯片贴装材料

■AuRoFUSE™预制件制作方法

1. ① 对接合对象基板作为底层，通过Au/Pt/Ti进行金属化处理
2. ② 将光刻胶涂布在金属化处理后的接合对象的基板上
3. ③ 将符合预制件形状的光掩模版放在接合对象的基板上，进行曝光和显影，制作光刻胶框架
4. ④ 将AuRoFUSE™倒入制作好的光刻胶框架中
5. ⑤ 在室温下真空干燥，干燥后用刮板刮取多余的Au浆料
6. ⑥ 通过加热临时烧结后，剥离并清除光刻胶框架

■AuRoFUSE™预制件与其他材料的比较

(〇) AuRoFUSE™预制件

• 通过在接合之前将膏材进行干燥来消除流动性，可抑制横向扩展，从而实现较高密度封装
• 由于多孔质结构容易变形，即使在电极之间存在高低差异，以及基板翘曲和厚度不一致的情况下，也可以进行接合

(△) 焊料

• 由于随着焊点间距变得微细，焊料在熔化时会横向扩展，因此存在电极之间接触引起短路

(△) 无电解电镀

• 虽然可实现窄间距，但由于接合时需要相对较高的压力，因此存在造成芯片损坏

AuRoFUSE™预制件不会横向扩展，与镀层凸块相比更加柔软

■接合示例：覆晶接合

• 
• Recommended condition
  

  Pretreatment:	UV ozonation, etc.
  Thermo-Compression:	200℃, 20MPa, 10sec.
  Post-Bake:	200℃, 60min.

■特性表