各种电镀制程
提供更高机能电镀制程。
本公司拥有自半导体、电子零部件到各种饰品等,以贵金属镀金液为主的各种电镀制程。提供适合各种用途的特性镀金、高度生产性的方案。
纯金电镀
■PRECIOUSFAB Au series
具有优良的接合性, 耐热性, 焊锡接合性, 更为适合用于半导体用零件。可达到优良的均一电着性, 减少所使用的金含量。
■PRECIOUSFAB Au-GB series
晶圆凸块用电镀金制程。均一电着性优良, 可于高电流密度, 低操作温度环境下进行电镀。
■MICROFAB Au Series
晶圆用无氰化物金电镀。在凸块, 微细图案形成方面发挥优良性能。
品名 | 用途 | 特色 |
---|---|---|
PRECIOUSFAB Au 8400 | 接合 PAD 部 | 均一电着性良好, 中性氰化物 |
PRECIOUSFAB Au-MLA300 | 低Au 浓度, 防止镍(Ni)溶出, 中性氰化物 | |
PRECIOUSFAB Au-GB5 | 晶圆 (凸块) | 低操作温度, 中性氰化物 |
MICROFAB Au310 | 晶圆 (电路) | 表面粗糙度极低, 中性无氰 |
MICROFAB AuFL2100 | 低Au 浓度, 中性无氰 | |
MICROFAB Au660 | 晶圆 (凸块) | 低硬度, 高速, 中性无氰 |
MICROFAB Au3151 | 高硬度, 高速, 中性无氰 |
金合金电镀
■PRECIOUSFAB HG series
电气特性, 耐磨损性, 耐腐蚀性, 焊锡接合性皆优良, 更为适合用于连接器等电子零件。
■PRECIOUSFAB GT series
电镀金锡合金程。合金比率易调整, 因此能配合熔融温度进行调整。
■PRECIOUSFAB GS series
电镀金 – 银合金制程。兼具金的耐腐蚀性与银的反射率, 更为适合用于LED用零件。
品名 | 用途 | 特色 | |
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Au-Co | PRECIOUSFAB HG-GVC | 连接器, 印刷电路板 | 酸性氰化物 |
PRECIOUSFAB HG-ICC7 | 镀镍保护膜, 酸性氰化物 | ||
FINE BARRIER 7000 | |||
Au-Ni | PRECIOUSFAB HG-GVN | 连接器, 印刷电路板 | 酸性氰化物 |
PRECIOUSFAB HG-ICN100 | 镀镍保护膜, 酸性氰化物 | ||
Au-Sn20% | PRECIOUSFAB GT1000 | 代替熔着剂 | 酸性氰化物 |
Au-Ag50% | PRECIOUSFAB GS3000 | 引线框架 | 碱性氰化物 |
预镀金
■PRECIOUSFAB Au-ST
“Au-ST400”(无氯气)是强酸性的预镀金镀液, 特别是能在不锈钢等材质上直接进行电镀。
■MICROFAB Au NX-ST
无氰化物预镀金液
品名 | 用途 | 特色 |
---|---|---|
PRECIOUSFAB Au-ST100 | 一般通用 | 酸性氰化物 |
K-130AF | 酸性氰化物, 防霉加工 | |
PRECIOUSFAB Au-ST400 | SUS材料 | 无氯气, 强酸性氰化物 |
PRECIOUSFAB Au-ST400 | 高光泽,强酸性氰化物 | |
MICROFAB Au NX-ST | 晶圆 | 中性无氰化物 |
化学镀金
■IM MEISTER Au series
于化镀Ni 上发挥高度密着性, 焊锡润湿性。IG100 即便是在Pd 膜上也能达到均一膜厚。
■CERAGOLD series
还原型无Pb 之厚膜化学镀金制程
■SUPERMEX series
适用于电镀, 化镀Ni 上之无氰化学镀金制程。
品名 | 用途 | 特色 |
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IM MEISTER Au1100S | 接合 PAD 部 | 置换薄金, 氰化物 |
IM MEISTER AuFX5 | 置换厚金, 氰化物 | |
IM MEISTER Au-IG100 | Pd 上均一膜厚置换, 氰化物 | |
IM FAB Au-IGS2020 | Ni上均一膜厚、置换、无氰 | |
ATOMEX | 陶瓷零件等 | 置换薄金, 氰化物 |
CERAGOLD 6070 | 镀厚膜还原, 无Pb, 氰化物 | |
SUPERMEX 250 | 晶圆, 一般通用 | 置换薄金,无氰化物 |
SUPERMEX 850 | 镀厚膜还原,无氰化物 |
银电镀
■氰化物型
品名 | 用途 | 特色 |
---|---|---|
Ag-10 | 一般通用 | 硬, 高氰化物 |
LED BRIGHT Ag-20 | LED其他 | 光泽, 高氰化物 |
SP-4000 | 引线框架 | 支持高电流密度, 低氰化物 |
■无氰化物型
品名 | 用途 | 特色 |
---|---|---|
PRECIOUSFAB Ag4730 | 晶圆 | 无氰化物 |
白金类电镀
■PRECIOUSFAB Pd series
AD 系列无氨臭, 高温下更耐蚀性, 是考虑作业环境的钯电镀制程。
■PRECIOUSFAB Pt series
低应力, 无裂缝且可镀厚膜的铂金电镀制程。
■PRECIOUSFAB Rh, Ru, Ir
可用于工业、装饰的电镀制程。
品名 | 用途 | 特色 | |
---|---|---|---|
Pd | PRECIOUSFAB Pd-ADP720 | 引线框架 (Pd-PPF) |
薄膜高耐热, 中性 |
PRECIOUSFAB Pd-ADG860 | |||
PRECIOUSFAB Pd82GVE | 连接器 | Pd-Ni20%合金 | |
PRECIOUSFAB PC200 | Pd-Co20%合金 | ||
MICROFAB Pd750 | 晶圆 (凸块) | 中性, 镀厚膜 | |
Pd-LF-800S | 一般通用 | 预镀 — 镀厚膜 | |
Pt | PRECIOUSFAB Pt2000 | 电子零件等 | 酸性, 高耐蚀性 |
PRECIOUSFAB Pt-SF | 碱性, 镀厚膜 | ||
Rh | PRECIOUSFAB Rh200 | 低应力, 高硬度 | |
PRECIOUSFAB Rh2000 | 高耐腐蚀性、高硬度 | ||
Ru | PRECIOUSFAB Ru1000 | 酸性, 低Ru浓度 | |
Ir | PRECIOUSFAB Ir300 | 高硬度 |
应用案例特辑 (功率器件模块)
■键合垫片用电镀
-
构件 金属元素 ① 键合丝 Al, Au, Cu, PCC, Ag ② 键合垫片用电镀 Ni/(Pd)/Au or Ag 键合垫片 Al, Cu
针对键合丝和键合垫片的各种组合,提案接合性优良的更为适合的电镀条件。
Ni/Au电镀 (Ni厚度 5um / Au厚度 0.05um)
Φ50um pad
Ni/Au电镀 (Ni厚度5um / Pd厚度 0.1um / Au厚度 0.05um)
□100um pad
- 通过Pd电镀,抑制Ni电镀层的腐蚀和扩散
- 从前置处理条件到Au电镀制程,为您从整体上提案更为适合的制程。
■欧姆接合用背面电极
MICROFAB ELN520 – 用于垂直结构欧姆接合用背面电极的Ni电镀
- 用于二极管等垂直结构Si芯片
- 在Si芯片背面直接施以无电解镀Ni后,通过烧结形成硅化镍合金层
Si芯片背面形成制程
工序 | 产品名称 | |
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1 | 前置处理 | – |
2 | 催化剂活化 | – |
3 | 无电解Ni电镀 | MICROFAB ELN520 |
4 | 干燥、烧结 | – |
5 | 无电解金电镀 | IM FAB Au-IGS4200 |
- 由于Ni析出物应力更低,可抑制电镀后的晶圆翘曲
- 通过在Ni上施以无电解镀Au,可实现芯片贴装的良好接合性
■用于引线框架、铜夹、PCB等的金属化层
本公司的Pd电镀被膜具有更高的阻隔性,可期待通过薄膜提高耐热性。
Pd-PPF用电镀制程
*…Palladium Pre-Plated Frame
电解Ni | GALVANOMEISTER Ni100 |
电解Pd | PRECIOUSFAB Pd系列 |
电解Au | POSTFLASH 100 |