键合丝

键合丝

供应量位于世界前列(*) TANAKA的键合丝

作为金属接合材料,提供金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)的更细线(10∼38µm)及功率器件用的粗线(100∼500um)等键合丝及带材。在提供表面平滑洁净且具有较好尺寸稳定性的线材的同时,也提供包括金属接合的知识经验在内的解决方案。

  • (*)资料来源:SEMI行业研究与统计 / TECHCET, 2020年4月

种类列表

  Wire Type
Thick Wire Fine Wire Coated Wire Ribbon
Wire Material Gold
Silver
Copper
Aluminum

*关于本网站无详细信息的产品、开发品,请洽询。

各线材接合性指引

  Bonded Material
Al Au/Pd/Ni
Plating
Ag
Plating
Au Ni
Plating
Cu
Wire Au/Au Alloy ★★★ ★★★ ★★★ ★★★ ☆☆ ★★
PCC ★★★ ★★ ★★★ ★★★ ☆☆ ☆☆
Cu/Cu Alloy ★★★ ★★ ★★ ★★★ ☆☆ ☆☆
Ag Alloy ★★★ ★★★ ★★★ ★★★ ☆☆ ★★
Al ★★★ ★★ ★★★ ★★ ★★★ ★★★

*根据用途接合条件有所不同。详情请洽询。

金、金合金键合丝

超过50年的信誉与实绩

金(Au)、金合金(Au alloy)键合丝是持续支撑半导体产业的较高性能的线材。具有其他金属较难比拟的化学稳定性和较为优良的导电性。通过材料开发,在保持较高纯度的状态下,实现微间距和低线弧对应等功能。

产品详细信息

银合金键合丝

将贵金属生产商的技术变为现实

银合金(Ag alloy)键合丝在导电性及热传导性方面都较为优良,由于在可见光区具有较高反射率,也是对LED等光半导体器件较为有效的线材。同时作为金(Au)线的替代材料可实现降低成本约80%。

产品详细信息

铜、铜合金键合丝

成本对策的决定版

我们提供无氧铜级别的较高纯度的铜(Cu)的更细线(最小15um),还提供通过贵金属镀层具有耐氧化性能的Pd包覆铜线(PCC)。与昂贵的金(Au)线相比有助于降低约90%的成本。

产品详细信息

功率器件用铝、铜键合丝

功率器件的标准

田中电子工业提供汽车用级别的较高纯度且表面性较优良的铝(Al)和铜(Cu)的键合丝(100~500µm)及带材(宽0.5~2.0mm)。铝是耐湿性较优良的材料,因此被广泛用于在严酷环境下驱动大电流的功率器件。同时也提供以导电性更较优良的铜为材料的功率器件用线材。

产品详细信息

键合丝用标准线轴

更细线材用

(mm)
Type Material A B C D E F
AL-2 Aluminum 58.5 48.8 50.3 0.75 26.4 27.9
AL-4 58.5 48.8 50.3 0.75 45.5 47

功率器件用线材、带材用

(mm)
Type Material A B C D E F
No.88 Poly Carbonate 88 10 50 3 25 31
No.88B 89 10 71 3 25 31
No.88K 88 11 50 3 31 37
No.120 120 10 54 4 30 38
No.120K 120 11 64 4 30 38

  • Al-2

    Al-4

  • No.88

    No.88B

  • No.88K

    No.120K

*关于其他规格,请洽询。

物理特性(模拟使用数据)*参考值

  Unit Gold Copper Aluminum Silver Palladium Platinum
Atomic symbol 原子符号   Au Cu Al Ag Pd Pt
Atomic number 原子序数   79 29 13 47 46 78
Atomic weight 原子量   196.96655 63.546 26.981538 107.8682 106.42 195.078
Crystal structure 结晶构造   fcc fcc fcc fcc fcc fcc
Lattice constant 晶格常数 Å 4.0785 3.6147 4.0496 4.0862 3.8907 3.924
Melting point 熔点 K 1336.15 1356.45±0.1 933.25 1233.95 1825.15 2042.15±1
Boiling point 沸点 K 2983 2855 2750±50 2423±20  3150±100 4100±100
Density (20℃) 密度 g・cm-3 19.32 8.92 2.70 10.50 12.02 (22℃) 21.45
Resistivity (20℃) 电阻值 μΩ・cm 2.3 1.694 2.7 1.63 10.8 10.58
Heat of fusion 融化热 kJ・mol-1 12.37 13.1 8.40±0.16 11±0.5 16.7 19.7
Thermal
conductivity
(0~100℃)
热导率 W・m-1・K-1 315.5 397 238 425 75.2 73.4
Specific heat
(0~100℃)
比热 J・kg-1・K--1 130 386.0 917 234 247 134.4
Coefficient of
linear expansion
(0~100℃)
热膨胀系数 x 10-6・K-1 14.1 17.0 23.5 19.1 11.0 9.0
Young’s modulus 杨氏模量 GPa 88.3 (300K) 136 (298K) 69 (300K) 100.5 (300K) 121 (293K) 169.9 (293K)
Shear modulus 剪切模量 GPa 29.6   26.0 31.3    
Poisson’s ratio 泊松比   0.440 0.343 0.345 0.367 0.393 0.377

支撑半导体产业的田中电子工业是

从键合丝开始创设新事业

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