AgSn TLP片

AgSn TLP片

AgSn TLP片

可实现大型硅(Si)芯片接合的片状接合构件

可在支持芯片尺寸为20mm的大面积上,实现较高可靠性的接合
为满足电动汽车、混动汽车、工业基础设施等对大电流用功率半导体日益增长的需求做出贡献。

TLP接合(液相扩散接合(※1)):Transient Liquid Phase Diffusion Bonding

AgSn TLP片 概要

特长

可靠性

  • 接合后,由于Ag和Sn变成Ag3Sn,耐热温度升至480℃,具有比现有材料更高的耐热性。
  • 接合强度维持最大50MPa,即使在300℃也能维持相同的接合强度。
  • 还具有通过了3,000次热循环测试的较高接合可靠性的特长。

降低成本

  • 由于可在几分钟内完成接合,可通过减少节拍时间来降低制程成本。

降低环境负荷

  • 由于是不含溶剂的材料,不会产生VOC (挥发性有机化合物)。
  • 由于不含铅,因此不含Rohs限制对象物质。
  • 接合示意图

  • 接合温度/耐热温度

使用方法

接合条件

  • 可在250℃的加热温度下进行液相扩散接合(※1)
  • 可在3.3 MPa的低压下进行接合。

接合对象

  • 可应对Cu、Ni、Ag等各种被接合材料。

规格

要求性能项目 性能
支持芯片尺寸 最大20mm
片厚 0.03~0.2mm
接合强度(剪切强度) 25~50MPa
耐热性(高温剪切强度300℃) 25~50MPa
可靠性(H.C. -50℃⇔200℃) 3,000cyc.
被接合材料 可与Cu/Ni/Ag接合

芯片剪切强度

  1. (※1)液相扩散接合:在进行扩散接合时,将插入接合界面的金属等暂时熔化或液化后,利用扩散使其等温凝固进行接合的接合方法。英文名称为Transient Liquid Phase Diffusion Bonding(TLP接合)。