各种电镀制程

各种电镀制程

各种电镀制程产品图片

提供更高机能电镀制程。

本公司拥有自半导体、电子零部件到各种饰品等,以贵金属镀金液为主的各种电镀制程。提供适合各种用途的特性镀金、高度生产性的方案。

纯金电镀

■PRECIOUSFAB Au series

具有优良的接合性, 耐热性, 焊锡接合性, 更为适合用于半导体用零件。可达到优良的均一电着性, 减少所使用的金含量。

■PRECIOUSFAB Au-GB series

晶圆凸块用电镀金制程。均一电着性优良, 可于高电流密度, 低操作温度环境下进行电镀。

■MICROFAB Au Series

晶圆用无氰化物金电镀。在凸块, 微细图案形成方面发挥优良性能。

纯金电镀图片
品名 用途 特色
PRECIOUSFAB Au 8400 接合 PAD 部 均一电着性良好, 中性氰化物
PRECIOUSFAB Au-MLA300 低Au 浓度, 防止镍(Ni)溶出, 中性氰化物
PRECIOUSFAB Au-GB5 晶圆 (凸块) 低操作温度, 中性氰化物
MICROFAB Au310 晶圆 (电路) 表面粗糙度极低, 中性无氰
MICROFAB AuFL2100 低Au 浓度, 中性无氰
MICROFAB Au660 晶圆 (凸块) 低硬度, 高速, 中性无氰
MICROFAB Au3151 高硬度, 高速, 中性无氰

金合金电镀

■PRECIOUSFAB HG series

电气特性, 耐磨损性, 耐腐蚀性, 焊锡接合性皆优良, 更为适合用于连接器等电子零件。

■PRECIOUSFAB GT series

电镀金锡合金程。合金比率易调整, 因此能配合熔融温度进行调整。

■PRECIOUSFAB GS series

电镀金 – 银合金制程。兼具金的耐腐蚀性与银的反射率, 更为适合用于LED用零件。

金合金电镀图片
品名 用途 特色
Au-Co PRECIOUSFAB HG-GVC 连接器, 印刷电路板 酸性氰化物
PRECIOUSFAB HG-ICC7 镀镍保护膜, 酸性氰化物
FINE BARRIER 7000
Au-Ni PRECIOUSFAB HG-GVN 连接器, 印刷电路板 酸性氰化物
PRECIOUSFAB HG-ICN100 镀镍保护膜, 酸性氰化物
Au-Sn20% PRECIOUSFAB GT1000 代替熔着剂 酸性氰化物
Au-Ag50% PRECIOUSFAB GS3000 引线框架 碱性氰化物

预镀金

■PRECIOUSFAB Au-ST

“Au-ST400”(无氯气)是强酸性的预镀金镀液, 特别是能在不锈钢等材质上直接进行电镀。

■MICROFAB Au NX-ST

无氰化物预镀金液

品名 用途 特色
PRECIOUSFAB Au-ST100 一般通用 酸性氰化物
K-130AF 酸性氰化物, 防霉加工
PRECIOUSFAB Au-ST400 SUS材料 无氯气, 强酸性氰化物
PRECIOUSFAB Au-ST400 高光泽,强酸性氰化物
MICROFAB Au NX-ST 晶圆 中性无氰化物

化学镀金

■IM MEISTER Au series

于化镀Ni 上发挥高度密着性, 焊锡润湿性。IG100 即便是在Pd 膜上也能达到均一膜厚。

■CERAGOLD series

还原型无Pb 之厚膜化学镀金制程

■SUPERMEX series

适用于电镀, 化镀Ni 上之无氰化学镀金制程。

化学镀金图片
品名 用途 特色
IM MEISTER Au1100S 接合 PAD 部 置换薄金, 氰化物
IM MEISTER AuFX5 置换厚金, 氰化物
IM MEISTER Au-IG100 Pd 上均一膜厚置换, 氰化物
IM FAB Au-IGS2020 Ni上均一膜厚、置换、无氰
ATOMEX 陶瓷零件等 置换薄金, 氰化物
CERAGOLD 6070 镀厚膜还原, 无Pb, 氰化物
SUPERMEX 250 晶圆, 一般通用 置换薄金,无氰化物
SUPERMEX 850 镀厚膜还原,无氰化物

银电镀

■氰化物型

品名 用途 特色
Ag-10 一般通用 硬, 高氰化物
LED BRIGHT Ag-20 LED其他 光泽, 高氰化物
SP-4000 引线框架 支持高电流密度, 低氰化物

■无氰化物型

品名 用途 特色
PRECIOUSFAB Ag4730 晶圆 无氰化物

白金类电镀

■PRECIOUSFAB Pd series

AD 系列无氨臭, 高温下更耐蚀性, 是考虑作业环境的钯电镀制程。

■PRECIOUSFAB Pt series

低应力, 无裂缝且可镀厚膜的铂金电镀制程。

■PRECIOUSFAB Rh, Ru, Ir

可用于工业、装饰的电镀制程。

品名 用途 特色
Pd PRECIOUSFAB Pd-ADP720 引线框架
(Pd-PPF)
薄膜高耐热, 中性
PRECIOUSFAB Pd-ADG860
PRECIOUSFAB Pd82GVE 连接器 Pd-Ni20%合金
PRECIOUSFAB PC200 Pd-Co20%合金
MICROFAB Pd700 晶圆 (凸块) 中性, 镀厚膜
Pt PRECIOUSFAB Pt2000 电子零件等 酸性, 高耐蚀性
PRECIOUSFAB Pt-SF 碱性, 镀厚膜
Rh PRECIOUSFAB Rh200 低应力, 高硬度
PRECIOUSFAB Rh2000 高耐腐蚀性、高硬度
Ru PRECIOUSFAB Ru1000 酸性, 低Ru浓度
Ir PRECIOUSFAB Ir300 高硬度

应用案例特辑 (功率器件模块)

■键合垫片用电镀

  •   构件 金属元素
    ① 键合丝 Al, Au, Cu, PCC, Ag
    ② 键合垫片用电镀 Ni/(Pd)/Au or Ag
    键合垫片 Al, Cu
  • 键合垫片用电镀使用部位说明图

针对键合丝和键合垫片的各种组合,提案接合性优良的更为适合的电镀条件。

Ni/Au电镀 (Ni厚度 5um / Au厚度 0.05um)

Φ50um pad

  • Ni/Au电镀-Φ50um pad表面SEM图像
  • Ni/Au电镀-Φ50um pad截面SEM图像

Ni/Au电镀 (Ni厚度5um / Pd厚度 0.1um / Au厚度 0.05um)

□100um pad

  • Ni/Pd/Au电镀-□100µm pad表面SEM图像
  • Ni/Pd/Au电镀-□100µm  pad截面SEM图像
  • 通过Pd电镀,抑制Ni电镀层的腐蚀和扩散
  • 从前置处理条件到Au电镀制程,为您从整体上提案更为适合的制程。

■欧姆接合用背面电极

  • MICROFAB ELN520的使用部位和截面说明图

MICROFAB ELN520 – 用于垂直结构欧姆接合用背面电极的Ni电镀

  • 用于二极管等垂直结构Si芯片
  • 在Si芯片背面直接施以无电解镀Ni后,通过烧结形成硅化镍合金层

Si芯片背面形成制程

  工序 产品名称
1 前置处理  – 
2 催化剂活化  – 
3 无电解Ni电镀 MICROFAB ELN520
4 干燥、烧结  – 
5 无电解金电镀 IM FAB Au-IGS4200
  • 由于Ni析出物应力更低,可抑制电镀后的晶圆翘曲
  • 通过在Ni上施以无电解镀Au,可实现芯片贴装的良好接合性

■用于引线框架、铜夹、PCB等的金属化层

  • Pd-PPF用电镀制程的使用部位和截面说明图

本公司的Pd电镀被膜具有更高的阻隔性,可期待通过薄膜提高耐热性。

Pd-PPF用电镀制程
*…Palladium Pre-Plated Frame

电解Ni GALVANOMEISTER Ni100
电解Pd PRECIOUSFAB Pd系列
电解Au POSTFLASH 100