各种电镀制程

各种电镀制程

各种电镀制程产品图片

提供更高机能电镀制程。

本公司拥有自半导体、电子零部件到各种饰品等,以贵金属镀金液为主的各种电镀制程。提供适合各种用途的特性镀金、高度生产性的方案。

纯金电镀

PRECIOUSFAB Au series

具有优良的接合性, 耐热性, 焊锡接合性, 更为适合用于半导体用零件。可达到优良的均一电着性, 减少所使用的金含量。

PRECIOUSFAB Au-GB series

晶圆凸块用电镀金制程。均一电着性优良, 可于高电流密度, 低操作温度环境下进行电镀。

MICROFAB Au Series

晶圆用无氰化物金电镀。在凸块, 微细图案形成方面发挥优良性能。

纯金电镀图片
品名 用途 特色
PRECIOUSFAB Au 8400 接合 PAD 部 均一电着性良好, 中性氰化物
PRECIOUSFAB Au-MLA300 低Au 浓度, 防止镍(Ni)溶出, 中性氰化物
PRECIOUSFAB Au-GB5 晶圆 (凸块) 低操作温度, 中性氰化物
MICROFAB Au310 晶圆 (电路) 表面粗糙度极低, 中性无氰
MICROFAB AuFL2100 低Au 浓度, 中性无氰
MICROFAB Au660 晶圆 (凸块) 低硬度, 高速, 中性无氰
MICROFAB Au3151 高硬度, 高速, 中性无氰

金合金电镀

PRECIOUSFAB HG series

电气特性, 耐磨损性, 耐腐蚀性, 焊锡接合性皆优良, 更为适合用于连接器等电子零件。

PRECIOUSFAB GT series

电镀金锡合金程。合金比率易调整, 因此能配合熔融温度进行调整。

PRECIOUSFAB GS series

电镀金 – 银合金制程。兼具金的耐腐蚀性与银的反射率, 更为适合用于LED用零件。

金合金电镀图片
品名 用途 特色
Au-Co PRECIOUSFAB HG-GVC 连接器, 印刷电路板 酸性氰化物
PRECIOUSFAB HG-ICC7 镀镍保护膜, 酸性氰化物
FINE BARRIER 7000
Au-Ni PRECIOUSFAB HG-GVN 连接器, 印刷电路板 酸性氰化物
PRECIOUSFAB HG-ICN100 镀镍保护膜, 酸性氰化物
Au-Sn20% PRECIOUSFAB GT1000 代替熔着剂 酸性氰化物
Au-Ag50% PRECIOUSFAB GS3000 引线框架 碱性氰化物

预镀金

PRECIOUSFAB Au-ST

“Au-ST400”(无氯气)是强酸性的预镀金镀液, 特别是能在不锈钢等材质上直接进行电镀。

MICROFAB Au NX-ST

无氰化物预镀金液

品名 用途 特色
PRECIOUSFAB Au-ST100 一般通用 酸性氰化物
K-130AF 酸性氰化物, 防霉加工
PRECIOUSFAB Au-ST400 SUS材料 无氯气, 强酸性氰化物
PRECIOUSFAB Au-ST400 高光泽,强酸性氰化物
MICROFAB Au NX-ST 晶圆 中性无氰化物

化学镀金

IM MEISTER Au series

于化镀Ni 上发挥高度密着性, 焊锡润湿性。IG100 即便是在Pd 膜上也能达到均一膜厚。

CERAGOLD series

还原型无Pb 之厚膜化学镀金制程

SUPERMEX series

适用于电镀, 化镀Ni 上之无氰化学镀金制程。

化学镀金图片
品名 用途 特色
IM MEISTER Au1100S 接合 PAD 部 置换薄金, 氰化物
IM MEISTER AuFX5 置换厚金, 氰化物
IM MEISTER Au-IG100 Pd 上均一膜厚置换, 氰化物
IM FAB Au-IGS2020 Ni上均一膜厚、置换、无氰
ATOMEX 陶瓷零件等 置换薄金, 氰化物
CERAGOLD 6070 镀厚膜还原, 无Pb, 氰化物
SUPERMEX 250 晶圆, 一般通用 置换薄金,无氰化物
SUPERMEX 850 镀厚膜还原,无氰化物

银电镀

氰化物型

品名 用途 特色
Ag-10 一般通用 硬, 高氰化物
LED BRIGHT Ag-20 LED其他 光泽, 高氰化物
SP-4000 引线框架 支持高电流密度, 低氰化物

无氰化物型

品名 用途 特色
PRECIOUSFAB Ag4730 晶圆 无氰化物

白金类电镀

PRECIOUSFAB Pd series

AD 系列无氨臭, 高温下更耐蚀性, 是考虑作业环境的钯电镀制程。

PRECIOUSFAB Pt series

低应力, 无裂缝且可镀厚膜的铂金电镀制程。

PRECIOUSFAB Rh, Ru, Ir

可用于工业、装饰的电镀制程。

品名 用途 特色
Pd PRECIOUSFAB Pd-ADP720 引线框架
(Pd-PPF)
薄膜高耐热, 中性
PRECIOUSFAB Pd-ADG860
PRECIOUSFAB Pd82GVE 连接器 Pd-Ni20%合金
PRECIOUSFAB PC200 Pd-Co20%合金
MICROFAB Pd750 晶圆 (凸块) 中性, 镀厚膜
Pd-LF-800S 一般通用 预镀 — 镀厚膜
Pt PRECIOUSFAB Pt2000 电子零件等 酸性, 高耐蚀性
PRECIOUSFAB Pt-SF 碱性, 镀厚膜
Rh PRECIOUSFAB Rh200 低应力, 高硬度
PRECIOUSFAB Rh2000 高耐腐蚀性、高硬度
Ru PRECIOUSFAB Ru1000 酸性, 低Ru浓度
Ir PRECIOUSFAB Ir300 高硬度

应用案例特辑 (功率器件模块)

键合垫片用电镀

  •   构件 金属元素
    键合丝 Al, Au, Cu, PCC, Ag
    键合垫片用电镀 Ni/(Pd)/Au or Ag
    键合垫片 Al, Cu
  • 键合垫片用电镀使用部位说明图

针对键合丝和键合垫片的各种组合,提案接合性优良的更为适合的电镀条件。

Ni/Au电镀 (Ni厚度 5um / Au厚度 0.05um)

Φ50um pad

  • Ni/Au电镀-Φ50um pad表面SEM图像
  • Ni/Au电镀-Φ50um pad截面SEM图像

Ni/Au电镀 (Ni厚度5um / Pd厚度 0.1um / Au厚度 0.05um)

□100um pad

  • Ni/Pd/Au电镀-□100µm pad表面SEM图像
  • Ni/Pd/Au电镀-□100µm  pad截面SEM图像
  • 通过Pd电镀,抑制Ni电镀层的腐蚀和扩散
  • 从前置处理条件到Au电镀制程,为您从整体上提案更为适合的制程。

欧姆接合用背面电极

  • MICROFAB ELN520的使用部位和截面说明图

MICROFAB ELN520 – 用于垂直结构欧姆接合用背面电极的Ni电镀

  • 用于二极管等垂直结构Si芯片
  • 在Si芯片背面直接施以无电解镀Ni后,通过烧结形成硅化镍合金层

Si芯片背面形成制程

  工序 产品名称
1 前置处理  – 
2 催化剂活化  – 
3 无电解Ni电镀 MICROFAB ELN520
4 干燥、烧结  – 
5 无电解金电镀 IM FAB Au-IGS4200
  • 由于Ni析出物应力更低,可抑制电镀后的晶圆翘曲
  • 通过在Ni上施以无电解镀Au,可实现芯片贴装的良好接合性

用于引线框架、铜夹、PCB等的金属化层

  • Pd-PPF用电镀制程的使用部位和截面说明图

本公司的Pd电镀被膜具有更高的阻隔性,可期待通过薄膜提高耐热性。

Pd-PPF用电镀制程
*…Palladium Pre-Plated Frame

电解Ni GALVANOMEISTER Ni100
电解Pd PRECIOUSFAB Pd系列
电解Au POSTFLASH 100