CVD / ALD 用贵金属前驱物
开发面向次世代半导体的更高纯度贵金属前驱物
在追求进一步微细化和提高持久性的半导体产业中，在以期通过提高钌(Ru)前驱物的成膜速度来降低成本和实现更高质量的同时，为开发半导体开辟的新型先进技术作出贡献。
CVD = Chemical Vapor Deposition (化学气相沉积法)
ALD = Atomic Layer Deposition (原子层沉积法)
开发・提供前驱物
我们正在开发用于CVD／ALD 前驱物，重点是 Ru。甚至制作半导体用薄膜的CVD装置,评估薄膜用的各种分析仪器(FE-SEM,AFM,GD-MS 等)产品俱全，依目的提供所需前驱物。
■前驱物产品范例(Ru)
| Product Name | Appearance |
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DCR Ru成膜用较高纯度前驱物 |
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Rupta Ru成膜用无氧前驱物 |
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TRuST Ru成膜用较高蒸汽压力前驱物 |
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面向半导体的进一步微细化，对电阻更低、持久性更高的贵金属钌(Ru)的期待也在增加。此外，晶体管的栅电极及 DRAM 的电容器用电极等也可探讨使用具有优异特性的钌(Ru)。
Ru成膜用较高蒸汽压力前驱物：TRuST
作为液态钌前驱物实现了世界级行业标准蒸汽压力数值
比迄今为止的液体钌(Ru)前驱物蒸汽压力提高约 100 倍*的 CVD/ALD用前驱物。
对用于智能手机、计算机，以及今后预计进一步扩大需求的数据中心的半导体的性能提高及省电性做出贡献。
*常温下本公司内部测评的实验值
■特长
- 即使在室温左右的温度下也显示出较高的蒸汽压力。
- 在反应气体(氢、氧等)中容易分解，可形成低电阻的钌膜。
- 由于分子较小，对基板表面的吸附效率较好，可获得较高的成膜速度。
- 具有较出色的台阶覆盖性，即使在微细的较高长宽比结构中也能均匀地成膜至深部。
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前驱物的蒸汽压力比较
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使用TRuST的由ALD形成的Ru薄膜
■使用TRuST的2段ALD工艺
通过利用氧和氢的2段ALD工艺，实现了可防止基板氧化、质量更高且电阻更低的较薄薄膜
使用TRuST的2段成膜工艺
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第1阶段：使用H2的Ru成膜
通过氢成膜可降低底层的表面氧化风险 -
第2阶段：使用O2的Ru成膜
通过氧成膜实现钌纯度基本保持100%的更高纯度成膜 -
先通过氢成膜形成底层，在此基础上进行氧成膜所形成的钌膜也更平滑致密，可实现超越以往的更低电阻值
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第1阶段：使用H2的Ru成膜
通过氢成膜可降低底层的表面氧化风险 -
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第2阶段：使用O2的Ru成膜
通过氧成膜实现钌纯度基本保持100%的更高纯度成膜 -
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先通过氢成膜形成底层，在此基础上进行氧成膜所形成的钌膜也更平滑致密，可实现超越以往的更低电阻值
- 通过2段成膜工艺，即使在更薄的薄膜领域也能形成致密且低电阻的Ru膜。
- 由于各工艺是在相同的原料和成膜温度下实施的，将有助于降低工艺成本和设备投资成本。
2段成膜的横截面SEM图像
