金、金合金键合丝

金、金合金键合丝

金、金合金键合丝产品图片

超过50年的信誉与实绩

金(Au)、金合金(Au alloy)键合丝是持续支撑半导体产业的较高性能的线材。具有其他金属较难比拟的化学稳定性和较为优良的导电性。通过材料开发,在保持较高纯度的状态下,实现微间距和低线弧对应等功能。

HAZ长度与破断重量 [Au Wire dia. 25um]

[HAZ长度与破断重量比较图] 从左起:Y、C、FA、GSA、M3、GHA-2、LC、GSB、GFC、GLF、GMH、GFD、GPH、GPG-3、GPG、GPG-2、GMG、GMH-2

GSA / GSB – 可进行稳定的第二焊点接合的Au键合丝

特长

  • 通过稳定的线尾接合性,即使在QFN、QFP、BGA封装中也较难发生局部性不着的问题。
  • 线尾拉力测试后有很多金渣,线尾接合处的金线偏移很少。
  • 压着径的不均一较少发生,真圆度较高且FAB较柔软,压着球容易变形。

在QFN 封装上实现稳定的线尾接合性 (PPF, 175℃)

[Frequency与2nd Pull Strength比较图] Average-GSA:4.3gf、FA:4.1gf、GSB:4.2gf、GHM:4.0gf

线尾拉力测试后

[线尾拉力测试后] GSA、FA、GSB、GMH

压着球真圆度

[压着球真圆度比较图]  GSA、FA、GSB、GMH

GFC / GFD – 用于微间距接合的Au键合丝

特长

  • 因键合过程中的超声波造成压着球变形的情况较少。
  • 由于可施加必要且足够的超声波,能获得良好的接合状态。
  • 对应各种焊盘间距键合。

球形

[球形比较] GMH、GFC、GFD/ FAB:38-62µm、SBD:45-75µm
Upper  FAB : 38µm  SBD : 45µm
Middle FAB : 51µm  SBD : 60µm
Lower  FAB : 62µm  SBD : 75µm

35µm BPP 键合

35µm BPP 键合的SEM图像
Wire : GFCφ15µm
Bonder : Shikawa UTC-3000
Pad Opening : 2µm

35µm BPP 键合处的散点图

35µm BPP 键合处的散点图:GFC

35µm BPP 键合处的散点图:GFD

35µm BPP 键合处的散点图:GMH

GPH – 对应较高可靠性的Au合金键合丝

特长

  • 配合无卤素树脂,实现较高的可靠性

[Failure ratio与Aging time比较图] GPH、GPG series

[Aging time比较图] GPH、GPG series

GLF – 对应更低线弧的Au键合丝

特长

  • 与以往的低线弧键合丝相比,具有优良的低线弧形成性。
  • 具有优良的颈部损伤抑制性。
  • 具有S形弯曲抑制性。
  • 与以往的低线弧键合丝相比,拉力强度较高。

GLF的球形 SEM图像

GMG – 较高强度的Au键合丝

特长

  • 使用高强度线,可借由细线化降低成本。
  • 对应BGA等多种线弧形状。
  • 在堆叠封装中凸块形成较优良。

机械特性

[Breaking Load与Wire Diameter 比较图] FA、GMH、GMH-2、M3、GMG

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